MOS

Anglicky Metall Oxide Semiconductor – mezinárodně užívaná zkratka pro technologický postup vytváření polovodičových prvků (tranzistorů) z tenkých vrstev kovu, oxidu a polovodiče.

Datum vytvoření: 14. 3. 2000
Datum aktualizace: 26. 7. 2006
Autor: -red-

Reklama: